CWDM3011N TR13
| 工場モデル | CWDM3011N TR13 |
|---|---|
| メーカー | Central Semiconductor |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
| パッケージ | 8-SOIC |
| 株式 | 408477 pcs |
| データシート | CWDM3011N |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 2500 |
|---|
| $0.109 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大） | 20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20 mOhm @ 11A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 他の名前 | CWDM3011N TR-ND CWDM3011N TR13 LEAD FREE CWDM3011N TR13 PBFREE CWDM3011NTR |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 860pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.3nC @ 5V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 詳細な説明 | N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) |
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